半导体学报2008，Vol.29Issue(1)：133-135,3.
近空间升华法氧气氛下CdTe源的性能
Properties of CdTe Source Prepared by Close-Spaced Sublimation in O2 Atmosphere
摘要
关键词
近空间升华/CdTe/CdO分类
动力与电气工程引用本文复制引用
曾广根,黎兵,郑家贵,李愿杰,张静全,李卫,雷智,武莉莉,蔡亚平,冯良桓..近空间升华法氧气氛下CdTe源的性能[J].半导体学报,2008,29(1):133-135,3.基金项目
国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA513010),国家自然科学基金(批准号:60506004),博士点基金(批准号:20050610024),四川省应用基础研究(批准号:2006J13-083)资助项目 （批准号:2001AA513010）
