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磁控溅射Mo薄膜电阻率的原位研究

季航 赵特秀 王晓平 董翊

ACTA PHYSICA SINICAIssue(8):1340-1345,6.
ACTA PHYSICA SINICAIssue(8):1340-1345,6.

磁控溅射Mo薄膜电阻率的原位研究

季航 1赵特秀 1王晓平 1董翊1

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摘要

关键词

/薄膜/电阻率/磁控溅射/原位

分类

数理科学

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季航,赵特秀,王晓平,董翊..磁控溅射Mo薄膜电阻率的原位研究[J].ACTA PHYSICA SINICA,1993,(8):1340-1345,6.

ACTA PHYSICA SINICA

OA北大核心CSCD

1000-3290

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