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ACTA PHYSICA SINICA
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磁控溅射Mo薄膜电阻率的原位研究
磁控溅射Mo薄膜电阻率的原位研究
季航
赵特秀
王晓平
董翊
ACTA PHYSICA SINICA
Issue(8):1340-1345,6.
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ACTA PHYSICA SINICA
Issue(8)
:1340-1345,6.
磁控溅射Mo薄膜电阻率的原位研究
季航
1
赵特秀
1
王晓平
1
董翊
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关键词
钼
/
薄膜
/
电阻率
/
磁控溅射
/
原位
分类
数理科学
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季航,赵特秀,王晓平,董翊..磁控溅射Mo薄膜电阻率的原位研究[J].ACTA PHYSICA SINICA,1993,(8):1340-1345,6.
ACTA PHYSICA SINICA
OA
北大核心
CSCD
ISSN:
1000-3290
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