半导体学报2008，Vol.29Issue(7)：1347-1349,3.
75mm 4°偏轴4H-SiC水平热壁式CVD外延生长
Epitaxial Growth on 4° Off-Oriented 75mm 4H-SiC Substrates by Horizontal Hot-Wall CVD
李哲洋 1董逊 1张岚 1陈刚 1柏松 1陈辰1
作者信息
- 1. 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016
- 折叠
摘要
关键词
水平热壁式CVD/4H-SiC/同质外延/均匀性分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李哲洋,董逊,张岚,陈刚,柏松,陈辰..75mm 4°偏轴4H-SiC水平热壁式CVD外延生长[J].半导体学报,2008,29(7):1347-1349,3.
