物理学报2001，Vol.50Issue(7)：1350-1354,5.
SiC/SiO2界面粗糙散射对沟道迁移率影响的Monte Carlo研究
Monte Carlo Study on Interface Roughness Dependence of Electron Mobility in 6H-SiC Inversion Layers
尚也淳 1张义门 1张玉明1
作者信息
- 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
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摘要
关键词
6H-SiC,反型层迁移率,表面粗糙散射,指数模型分类
数理科学引用本文复制引用
尚也淳,张义门,张玉明..SiC/SiO2界面粗糙散射对沟道迁移率影响的Monte Carlo研究[J].物理学报,2001,50(7):1350-1354,5.
