电子器件2005，Vol.28Issue(1)：135-137,3.
改善GaAs MESFETs硫钝化稳定性研究的新探索
An New Research in Improving the Sulfur Passivation Stability of GaAs MESFETs
摘要
关键词
硫钝化/GaAs MESFETs/稳定性/PECVD SiNx分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李亚丽,杨瑞霞,杨克武..改善GaAs MESFETs硫钝化稳定性研究的新探索[J].电子器件,2005,28(1):135-137,3.基金项目
军事预研基金资助项目(51432020103QT4501) （51432020103QT4501）
河北省自然科学基金资助项目(F2004000078). （F2004000078）
