| 注册
首页|期刊导航|发光学报|钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性

钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性

陈振 韩培德 陆大成 刘祥林 王晓晖 李昱峰 袁海荣 陆沅 黎大兵 王秀凤 朱勤生 王占国

发光学报2003,Vol.24Issue(2):135-138,4.
发光学报2003,Vol.24Issue(2):135-138,4.

钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性

Structure and Luminescence Properties of Multi-sheet InGaN Quantum Dots Grown by Passivation-low-temperature Method

陈振 1韩培德 2陆大成 3刘祥林 4王晓晖 4李昱峰 4袁海荣 4陆沅 4黎大兵 4王秀凤 4朱勤生 4王占国4

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083
  • 2. 清华大学物理系,北京100084
  • 3. 中国科学院半导体研究所光电子器件研发中心,北京100083
  • 折叠

摘要

关键词

InGaN/量子点/光学特性

分类

数理科学

引用本文复制引用

陈振,韩培德,陆大成,刘祥林,王晓晖,李昱峰,袁海荣,陆沅,黎大兵,王秀凤,朱勤生,王占国..钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性[J].发光学报,2003,24(2):135-138,4.

基金项目

国家自然科学基金(60086001 ()

69906002)和国家重大基础研究项目(G20000683)资助项目 (G20000683)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文