人工晶体学报2002，Vol.31Issue(2)：135-139,5.
下降法生长Bi4Ge3O12大尺寸单晶中散射芯的形成和消除
Formation and Elimination of the Scattering Inclusions in Bi4Ge3O12 Crystals Grown by Bridgman Method
肖海斌 1胡关钦 1王绍华 1徐力1
作者信息
- 1. 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800
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摘要
关键词
Bi4Ge3O12晶体/Bridgman法/散射芯/宏观缺陷分类
数理科学引用本文复制引用
肖海斌,胡关钦,王绍华,徐力..下降法生长Bi4Ge3O12大尺寸单晶中散射芯的形成和消除[J].人工晶体学报,2002,31(2):135-139,5.
