半导体学报2008，Vol.29Issue(7)：1354-1356,3.
8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制
An 8W X Band AlGaN/GaN Power HEMT
摘要
关键词
氮化镓/高电子迁移率晶体管/微波功率/栅场板分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘果果,郑英奎,魏珂,李诚瞻,刘新宇,和致经..8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制[J].半导体学报,2008,29(7):1354-1356,3.基金项目
国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903)和中国科学院重点创新(批准号:KGCX2-SW-107)资助项目 （批准号:2002CB311903）
