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MOSFET抗辐照能力预测方法

彭绍泉杜磊庄奕琪包军林刘江苏亚慧

半导体学报2008，Vol.29Issue(7)：1360-1364,5.

A Forecast Technique for Radiation-Resistant Capability on MOSFETs

彭绍泉 ¹杜磊 ¹庄奕琪 ²包军林 ²刘江 ¹苏亚慧¹

作者信息

1/f噪声/MOSFET/辐照/预测

信息技术与安全科学

彭绍泉,杜磊,庄奕琪,包军林,刘江,苏亚慧..MOSFET抗辐照能力预测方法[J].半导体学报,2008,29(7):1360-1364,5.

国家自然科学基金资助项目(批准号:60276028) （批准号:60276028）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1674-4926

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