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InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现

李献杰 蔡道民 赵永林 王全树 周州 曾庆明

半导体学报2005,Vol.26Issue(z1):136-139,4.
半导体学报2005,Vol.26Issue(z1):136-139,4.

InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现

Design and Process for Self-Aligned InP/InGaAs SHBT Structure

李献杰 1蔡道民 1赵永林 1王全树 1周州 1曾庆明1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051
  • 折叠

摘要

关键词

InP/SHBT/自对准工艺/湿法腐蚀

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李献杰,蔡道民,赵永林,王全树,周州,曾庆明..InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现[J].半导体学报,2005,26(z1):136-139,4.

基金项目

国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA312040) (批准号:2002AA312040)

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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