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非线性补偿的低温漂低功耗CMOS带隙基准源的设计

吴志明 杨鹏 吕坚 蒋亚东

电子科技大学学报2009,Vol.38Issue(1):137-140,4.
电子科技大学学报2009,Vol.38Issue(1):137-140,4.

非线性补偿的低温漂低功耗CMOS带隙基准源的设计

Design of Low Temperature Drift and Low Power Consumption CMOS Bandgap Reference with Nonlinear Compensation

吴志明 1杨鹏 1吕坚 1蒋亚东1

作者信息

  • 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
  • 折叠

摘要

关键词

带隙基准源/CMOS/低功耗/低温漂/非线性补偿

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吴志明,杨鹏,吕坚,蒋亚东..非线性补偿的低温漂低功耗CMOS带隙基准源的设计[J].电子科技大学学报,2009,38(1):137-140,4.

基金项目

国家杰出青年基金(60425101) (60425101)

教育部新世纪优秀人才计划(NCET-04-0896) (NCET-04-0896)

电子科技大学学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-0548

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