半导体学报2006，Vol.27Issue(8)：1378-1381,4.
线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性
Necessity of Profile-Fitting when Using X-Ray Diffraction to Analyze GaN Thin Films
摘要
关键词
高分辨XRD/摇摆曲线/穿透位错分类
数理科学引用本文复制引用
陈志涛,徐科,杨志坚,苏月永,潘尧波,杨学林,张酣,张国义..线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性[J].半导体学报,2006,27(8):1378-1381,4.基金项目
国家自然科学基金资助项目(批准号:60376005) （批准号:60376005）
