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铁硅化合物β-FeSi2带间光学跃迁的理论研究

闫万珺 谢泉 张晋敏 肖清泉 梁艳 曾武贤

半导体学报2007,Vol.28Issue(9):1381-1387,7.
半导体学报2007,Vol.28Issue(9):1381-1387,7.

铁硅化合物β-FeSi2带间光学跃迁的理论研究

Interband Optical Transitions in Semiconducting Iron Disilicide β-FeSi2

闫万珺 1谢泉 1张晋敏 1肖清泉 1梁艳 1曾武贤1

作者信息

  • 1. 贵州大学电子科学与信息技术学院,贵阳,550025
  • 折叠

摘要

关键词

β-FeSi2/电子结构/光学特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

闫万珺,谢泉,张晋敏,肖清泉,梁艳,曾武贤..铁硅化合物β-FeSi2带间光学跃迁的理论研究[J].半导体学报,2007,28(9):1381-1387,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60566001),教育部博士点专项科研基金(批准号:20050657003),教育部留学回国科研基金(批准号:教外司(2005)383),贵州省科技厅国际合作项目(批准号:黔科合G(2005)400102),贵州省教育厅重点基金(批准号:05JJ002),贵州省留学人员科技项目(批准号:黔人项目(2004)03)及省委组织部高层人才科研资助项目 (批准号:60566001)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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