铁硅化合物β-FeSi2带间光学跃迁的理论研究OA北大核心CSCDCSTPCD
Interband Optical Transitions in Semiconducting Iron Disilicide β-FeSi2
采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一种准直接带隙半导体,禁带宽度为0.74eV;其能态密度主要由Fe的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的β-FeSi2材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质计算结果,复介电函数的计算结果表明β-FeSi2具有各向异性的性质;吸收系数最大峰值为2.67×105 cm-1.
闫万珺;谢泉;张晋敏;肖清泉;梁艳;曾武贤
贵州大学电子科学与信息技术学院,贵阳,550025贵州大学电子科学与信息技术学院,贵阳,550025贵州大学电子科学与信息技术学院,贵阳,550025贵州大学电子科学与信息技术学院,贵阳,550025贵州大学电子科学与信息技术学院,贵阳,550025贵州大学电子科学与信息技术学院,贵阳,550025
电子信息工程
β-FeSi2电子结构光学特性
《半导体学报》 2007 (9)
环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术研究
1381-1387,7
国家自然科学基金(批准号:60566001),教育部博士点专项科研基金(批准号:20050657003),教育部留学回国科研基金(批准号:教外司(2005)383),贵州省科技厅国际合作项目(批准号:黔科合G(2005)400102),贵州省教育厅重点基金(批准号:05JJ002),贵州省留学人员科技项目(批准号:黔人项目(2004)03)及省委组织部高层人才科研资助项目
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