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SRAM单元单粒子翻转效应的电路模拟

刘征 孙永节 李少青 梁斌

半导体学报2007,Vol.28Issue(1):138-141,4.
半导体学报2007,Vol.28Issue(1):138-141,4.

SRAM单元单粒子翻转效应的电路模拟

Circuit Simulation of SEU for SRAM Cells

刘征 1孙永节 1李少青 1梁斌1

作者信息

  • 1. 国防科技大学计算机学院,长沙,410073
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摘要

关键词

单粒子翻转/双指数模型/电路模拟/器件模拟/SRAM

分类

电子信息工程

引用本文复制引用

刘征,孙永节,李少青,梁斌..SRAM单元单粒子翻转效应的电路模拟[J].半导体学报,2007,28(1):138-141,4.

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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