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AlGaAs:Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构

肖细凤 康俊勇

物理学报2002,Vol.51Issue(1):138-142,5.
物理学报2002,Vol.51Issue(1):138-142,5.

AlGaAs:Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构

Fine structures of electron capture barriers of the DX centers in Sn-doped AIgAas

肖细凤 1康俊勇1

作者信息

  • 1. 厦门大学物理系,厦门,361005
  • 折叠

摘要

关键词

Laplace缺陷谱,俘获势垒/DX中心/AlGaAs∶Sn

分类

数理科学

引用本文复制引用

肖细凤,康俊勇..AlGaAs:Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构[J].物理学报,2002,51(1):138-142,5.

基金项目

国家"863"计划(批准号: 715-010-0022)、国家自然科学基金(批准号: 69976023)、福建省自然科学基金(批准号: A0020001)资助的课题. (批准号: 715-010-0022)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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