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完全 MBE 生长的内含吸收型光栅GaAlAs/GaAs多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器

罗毅 司伟民 张盛忠 陈镝 王健华 蒲锐

半导体学报Issue(2)：139,1.
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半导体学报Issue(2)：139,1.

完全 MBE 生长的内含吸收型光栅GaAlAs/GaAs多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器

罗毅 1司伟民 1张盛忠 1陈镝 1王健华 1蒲锐1

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罗毅,司伟民,张盛忠,陈镝,王健华,蒲锐..完全 MBE 生长的内含吸收型光栅GaAlAs/GaAs多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器[J].半导体学报,1994,(2):139,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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