半导体学报2005，Vol.26Issue(7)：1390-1395,6.
超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应
Nonlucky Electron Model Effect in Ultra-Deep Submicro LDD nMOSFETs
摘要
关键词
LDD/nMOSFET/热载流子退化/沟道热载流子应力/漏雪崩热载流子应力/幸运电子模型分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨林安,于春利,郝跃..超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应[J].半导体学报,2005,26(7):1390-1395,6.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60376024)和国家高科技研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目 （批准号:60376024）
