半导体学报2006，Vol.27Issue(8)：1391-1395,5.
高质量InAs单晶材料的制备及其性质
Growth and Properties of High Quality InAs Single Crystals
赵有文 1孙文荣 1段满龙 1董志远 1杨子祥 1吕旭如 1王应利1
作者信息
- 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
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赵有文,孙文荣,段满龙,董志远,杨子祥,吕旭如,王应利..高质量InAs单晶材料的制备及其性质[J].半导体学报,2006,27(8):1391-1395,5.
