电子学报2000，Vol.28Issue(8)：139-141,3.
GeSi MOSFET的纵向结构对器件性能的影响
The Influence of GeSi MOSFET Longitudinal Structure on Device Performance
摘要
关键词
GeSi MOSFET/器件模型/模拟分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
董志伟,黎晨,陈培毅,钱佩信..GeSi MOSFET的纵向结构对器件性能的影响[J].电子学报,2000,28(8):139-141,3.基金项目
国家自然科学基金(No.69836020) （No.69836020）
国家九五重点科技项目(攻关)计划课题97-760-03-01 （攻关）
