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电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率

娄志东 徐征 徐春祥 于磊 滕枫 徐叙瑢

ACTA PHYSICA SINICAIssue(1)：139-145,7.
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ACTA PHYSICA SINICAIssue(1)：139-145,7.

电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率

娄志东 1徐征 1徐春祥 2于磊 2滕枫 2徐叙瑢2

作者信息

  • 1. 天津理工学院材料物理研究所
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摘要

关键词

电子输运/二氧化硅/电致发光/加速层/高电场

分类

信息技术与安全科学

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娄志东,徐征,徐春祥,于磊,滕枫,徐叙瑢..电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率[J].ACTA PHYSICA SINICA,1998,(1):139-145,7.

ACTA PHYSICA SINICA

OA北大核心CSCD

1000-3290

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