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高能A一辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光

裴慧元 李向阳 方家熊 侯明东

半导体学报2001，Vol.22Issue(11)：1392-1396,5.
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半导体学报2001，Vol.22Issue(11)：1392-1396,5.

高能A一辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光

Electrical Properties and Photoluminescence of P-CdZnTe Irradiated by High-Energy Ar+

裴慧元 1李向阳 1方家熊 1侯明东2

作者信息

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
  • 2. 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000
  • 折叠

摘要

关键词

CdZnTe/电学特性/光致发光

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

裴慧元,李向阳,方家熊,侯明东..高能A一辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光[J].半导体学报,2001,22(11):1392-1396,5.

基金项目

国防预研基金(批准号:11.3.2)和国家自然科学基金(批准号:19805014)资助项目. （批准号:11.3.2）

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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