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用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质

吴正云 王小军 余辛 黄启圣

ACTA PHYSICA SINICAIssue(7)：1395-1399,5.
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ACTA PHYSICA SINICAIssue(7)：1395-1399,5.

用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质

吴正云 1王小军 1余辛 2黄启圣2

作者信息

  • 1. 厦门大学物理系
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摘要

关键词

低温光伏谱/铟镓砷/砷化镓/应变量子阱

分类

信息技术与安全科学

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吴正云,王小军,余辛,黄启圣..用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质[J].ACTA PHYSICA SINICA,1997,(7):1395-1399,5.

ACTA PHYSICA SINICA

OA北大核心CSCD

1000-3290

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