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氧化对 GaN 基LED透明电极接触特性的影响

秦志新 陈志忠 于彤军 张昊翔 胡晓东 杨志坚 李忠辉 张国义

液晶与显示2004,Vol.19Issue(1):1-4,4.
液晶与显示2004,Vol.19Issue(1):1-4,4.

氧化对 GaN 基LED透明电极接触特性的影响

Reversible Effect of the Thermal Processing of Ni/Au Ohmic Contact to p-GaN

秦志新 1陈志忠 1于彤军 1张昊翔 1胡晓东 1杨志坚 1李忠辉 1张国义1

作者信息

  • 1. 北京大学,物理学院,介观物理实验室,北京,100871
  • 折叠

摘要

关键词

氮化镓基LED/欧姆接触/氧化

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

秦志新,陈志忠,于彤军,张昊翔,胡晓东,杨志坚,李忠辉,张国义..氧化对 GaN 基LED透明电极接触特性的影响[J].液晶与显示,2004,19(1):1-4,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(60276010) (60276010)

国家863计划资助项目(2001AA313060) (2001AA313060)

液晶与显示

OA北大核心CSCDCSTPCD

1007-2780

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