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微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展

马香柏 郝跃 张进城

电子科技Issue(10):1-4,4.
电子科技Issue(10):1-4,4.

微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展

Progress in the Development of Microwave Power AlGaN/GaN's HEMT

马香柏 1郝跃 1张进城1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学,微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071
  • 折叠

摘要

关键词

AlGaN/GaN/微波/功率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

马香柏,郝跃,张进城..微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展[J].电子科技,2006,(10):1-4,4.

基金项目

国家重点基础研究发展计划(973计划)(2002CB3119),国防科技重点实验室基金项目(51433040105DZ0102),国防973计划项目(513270407),国防科技重点实验室基金项目(51432030204DZ0101)资助研究. (973计划)

电子科技

1007-7820

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