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发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析

申华军 葛霁 杨威 陈延湖 王显泰 刘新宇 吴德馨

电子器件2007,Vol.30Issue(1):1-4,4.
电子器件2007,Vol.30Issue(1):1-4,4.

发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析

Analysis of DC and RF Characterizations of InGaP/GaAs HBT with Emitter Air-Bridge Interconnection

申华军 1葛霁 1杨威 1陈延湖 1王显泰 1刘新宇 1吴德馨1

作者信息

  • 1. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
  • 折叠

摘要

关键词

InGaP/GaAs/发射极空气桥互连/热阻/镇流电阻

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

申华军,葛霁,杨威,陈延湖,王显泰,刘新宇,吴德馨..发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析[J].电子器件,2007,30(1):1-4,4.

基金项目

中国科学院重大创新项目资助"新型高频、大功率化合物半导体电子器件研究(KGCX2-SW-10)" (KGCX2-SW-10)

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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