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变磁场I-V法对碲镉汞光伏器件少子扩散特性的研究

贾嘉 陈新禹 李向阳 龚海梅

红外与毫米波学报2005,Vol.24Issue(2):140-142,3.
红外与毫米波学报2005,Vol.24Issue(2):140-142,3.

变磁场I-V法对碲镉汞光伏器件少子扩散特性的研究

STUDY ON THE MINORITY CARRIER DIFFUSION CHARACTERISTIC OF HgCdTe DIODES BY I-V MEASUREMENT IN A VARIATIONAL MAGNETIC FIELD

贾嘉 1陈新禹 1李向阳 1龚海梅1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
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摘要

关键词

变磁场/I-V测试/短波红外/碲镉汞光伏器件/少子扩散长度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

贾嘉,陈新禹,李向阳,龚海梅..变磁场I-V法对碲镉汞光伏器件少子扩散特性的研究[J].红外与毫米波学报,2005,24(2):140-142,3.

基金项目

中国科学院国防科技创新基金(cxjj-72)资助项目 (cxjj-72)

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDSCI

1001-9014

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