半导体学报2006，Vol.27Issue(z1)：140-143,4.
离子注入诱导下制备薄的高弛豫SiGe
Thin Highly-Relaxed SiGe Induced by Ion Implantion into the Epitaxial Substrates
许向东 1郭福隆 1周卫 1刘志弘 1张兆健 1李希有 1张伟 1钱佩信1
作者信息
- 1. 清华大学微电子学研究所,北京,100084
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摘要
关键词
弛豫SiGe/UHV/CVD/离子注入分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
许向东,郭福隆,周卫,刘志弘,张兆健,李希有,张伟,钱佩信..离子注入诱导下制备薄的高弛豫SiGe[J].半导体学报,2006,27(z1):140-143,4.
