半导体学报2003，Vol.24Issue(z1)：140-143,4.
亚100nm多栅MOSFET的三维模拟
3D Simulation of Mutil-Gate MOSFET with Sub-100nm
摘要
关键词
双栅MOSFET/阈值电压/FINFET/三维模拟/短沟效应分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
夏志良,刘晓彦,刘恩峰,韩汝琦..亚100nm多栅MOSFET的三维模拟[J].半导体学报,2003,24(z1):140-143,4.基金项目
国家重点基础研究专项经费资助(No.G20000356) （No.G20000356）
