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硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响

任丙彦 张志成 刘彩池 郝秋燕 王猛

半导体学报2001，Vol.22Issue(11)：1416-1419,4.
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半导体学报2001，Vol.22Issue(11)：1416-1419,4.

硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响

Effects of Argon Gas Flow Rate on Oxygen and Carbon Concentration in CZSi Crystals

任丙彦 1张志成 2刘彩池 1郝秋燕 1王猛1

作者信息

  • 1. 河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130
  • 2. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

CZSi/氩气流/数值模拟/氧碳含量

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

任丙彦,张志成,刘彩池,郝秋燕,王猛..硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响[J].半导体学报,2001,22(11):1416-1419,4.

基金项目

国家自然科学基金(69876006)和河北省重大科技攻关(00213502D)资助项目. （69876006）

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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