电子科技Issue(8)：14-17,4.
一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法
A Method for 4H-SiC MESFETs Large-Signal Modeling Based on the Numerical Model
曹全君 1张义门 1张玉明1
作者信息
- 1. 西安电子科技大学,微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071
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摘要
关键词
4H-SiC/MESFET/大信号模型/射频分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
曹全君,张义门,张玉明..一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法[J].电子科技,2005,(8):14-17,4.
