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Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的Raman研究

徐传明 许小亮 徐军 杨晓杰 左健 党学明 冯叶 黄文浩 刘洪图

半导体学报2004,Vol.25Issue(11):1423-1427,5.
半导体学报2004,Vol.25Issue(11):1423-1427,5.

Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的Raman研究

Effect of Structure on Raman Spectra in Cu(In,Ga)3Se5 Thin Films

徐传明 1许小亮 2徐军 3杨晓杰 2左健 2党学明 2冯叶 3黄文浩 1刘洪图2

作者信息

  • 1. 中国科学技术大学精密机械与精密仪器系,合肥,230027
  • 2. 中国科学技术大学物理系,合肥,230026
  • 3. 中国科学院中国科学技术大学结构分析重点实验室,合肥,230026
  • 折叠

摘要

关键词

Cu(In,Ga)3Se5/有序缺陷化合物/晶格振动/Raman散射

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

徐传明,许小亮,徐军,杨晓杰,左健,党学明,冯叶,黄文浩,刘洪图..Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的Raman研究[J].半导体学报,2004,25(11):1423-1427,5.

基金项目

安徽省自然科学基金资助项目(批准号:0046506) (批准号:0046506)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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