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单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

徐静波 张海英 尹军舰 刘亮 李潇 叶甜春 黎明

半导体学报2007，Vol.28Issue(9)：1424-1427,4.
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半导体学报2007，Vol.28Issue(9)：1424-1427,4.

单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

Monolithic Integration of 0.8μm Gate-Length GaAs-Based InGaP/AlGaAs/ InGaAs Enhancement- and Depletion-Mode PHEMTs

徐静波 1张海英 1尹军舰 1刘亮 1李潇 1叶甜春 2黎明1

作者信息

  • 1. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
  • 2. 四川大学物理科学与技术学院,成都,610064
  • 折叠

摘要

关键词

单片集成/增强型/耗尽型/赝配高电子迁移率晶体管/阈值电压

分类

电子信息工程

引用本文复制引用

徐静波,张海英,尹军舰,刘亮,李潇,叶甜春,黎明..单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管[J].半导体学报,2007,28(9):1424-1427,4.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60276021)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311901)资助项目 （批准号:60276021）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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