物理学报2006，Vol.55Issue(3)：1424-1429,6.
p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究
Growth of p-GaN at low temperature and its properties as light emitting diodes
摘要
关键词
Ⅲ-Ⅴ族半导体/氮化镓/发光二极管/金属有机物化学气相淀积分类
数理科学引用本文复制引用
刘乃鑫,王怀兵,刘建平,牛南辉,韩军,沈光地..p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究[J].物理学报,2006,55(3):1424-1429,6.基金项目
北京市自然科学基金(批准号:D0404003040221)和北京工业大学博士科研启动基金 (批准号:52002014200403)资助的课题. （批准号:D0404003040221）
