半导体学报2007，Vol.28Issue(9)：1428-1432,5.
具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性
Breakdown Characteristic of Multiregion Double RESURF LDMOS with High Voltage Interconnection
摘要
关键词
高压互连线/多区/双RESURF/LDMOS/击穿电压分类
电子信息工程引用本文复制引用
乔明,周贤达,段明伟,方健,张波,李肇基..具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性[J].半导体学报,2007,28(9):1428-1432,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60436030)和国家军事电子预研(批准号:51308010401)资助项目 （批准号:60436030）
