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离子束外延生长半导体性锰硅化合物

杨君玲 陈诺夫 刘志凯 杨少延 柴春林 廖梅勇 何宏家

半导体学报2001，Vol.22Issue(11)：1429-1433,5.
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半导体学报2001，Vol.22Issue(11)：1429-1433,5.

离子束外延生长半导体性锰硅化合物

The Growth of Semiconductive Manganese Silicide by Ion Beam Epitaxy

杨君玲 1陈诺夫 1刘志凯 2杨少延 1柴春林 1廖梅勇 1何宏家1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083
  • 2. 中国国家微重力实验室,北京,100080
  • 折叠

摘要

关键词

半导体性锰硅化物/硅单晶/质量分析的低能离子柬

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨君玲,陈诺夫,刘志凯,杨少延,柴春林,廖梅勇,何宏家..离子束外延生长半导体性锰硅化合物[J].半导体学报,2001,22(11):1429-1433,5.

基金项目

国家重点基础研究专项经费(G20000683)和攀登计划(PAN95-YU-34)资助项目. （G20000683）

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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