铟镓氮薄膜的光电特性

韩培德刘祥林王晓晖袁海荣陈振李昱峰陆沅汪度陆大成王占国

半导体学报2002，Vol.23Issue(2)：143-148,6.

Optical and Electronic Properties of InGaN Thin Film Layers

韩培德 ¹刘祥林 ¹王晓晖 ¹袁海荣 ¹陈振 ¹李昱峰 ¹陆沅 ¹汪度 ¹陆大成 ¹王占国¹

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InGaN/MOVPE/PL

信息技术与安全科学

韩培德,刘祥林,王晓晖,袁海荣,陈振,李昱峰,陆沅,汪度,陆大成,王占国..铟镓氮薄膜的光电特性[J].半导体学报,2002,23(2):143-148,6.

国家自然科学基金(No.60086001)以及国家重点基础研究专项经费(No.G20000683)资助项目（No.60086001）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1674-4926

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