半导体学报2004，Vol.25Issue(11)：1437-1441,5.
低温注入硅片中的锗在快速热处理后的再分布
Redistribution of Ge Incorporated into Silicon Through Cryogenic Implantation After RTP
肖清华 1屠海令1
作者信息
- 1. 北京有色金属研究总院,国家半导体材料工程研究中心,100088,北京
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摘要
关键词
硅锗合金/低温离子注入/快速热处理/卢瑟福背散射技术/二次离子质谱技术分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
肖清华,屠海令..低温注入硅片中的锗在快速热处理后的再分布[J].半导体学报,2004,25(11):1437-1441,5.
