GaN HEMT器件22元件小信号模型OA北大核心CSCDCSTPCD
A 22-Element Small-Signal Model of GaN HEMT Devices
采用了新型的包含22元件的GaN HEMT小信号模型,通过增加与栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd并联的电导Ggsf和Ggdf来表征GaN HEMT栅漏电情况.结果表明22元件小信号模型拟合度提高,物理意义更为明确.同时重点改进了寄生电容参数的提取方法,可有效地提取新型栅场板、源场板器件小信号参数.由算法提取的参数值可准确反映GaN HEMT器件的物理特性.
刘丹;陈晓娟;刘新宇;吴德馨
中国科学院微电子研究所,北京,100029中国科学院微电子研究所,北京,100029中国科学院微电子研究所,北京,100029中国科学院微电子研究所,北京,100029
电子信息工程
GaN HEMT小信号优化模拟
《半导体学报》 2007 (9)
1438-1442,5
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