电子学报1999，Vol.27Issue(8)：144,1.
硼扩散引起薄SiO2栅介质的性能退化
Degradation of Thin Gate Oxide Reliability Due to Boron Penetration
摘要
关键词
PMOSFET/二氧化硅/栅介质/硼扩散/性能退化分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
高文钰,刘忠立,梁秀琴,于芳,聂纪平,李国花..硼扩散引起薄SiO2栅介质的性能退化[J].电子学报,1999,27(8):144,1.基金项目
国家自然科学基金资助项目 （）
