单晶硅片磨削的表面相变OA北大核心CSCDCSTPCD
Phase transformations of grinding monocrystalline silicon wafer surfaces
为揭示硅片自旋转磨削加工过程中材料的去除机理,采用显微拉曼光谱仪研究了硅片磨削表面的相变.结果表明:半精磨和精磨硅片表面存在α-Si相、Si-Ⅲ相、Si-Ⅳ相和Si-Ⅻ相,这表明磨削过程中Si-Ⅰ相发生了高压金属相变(Si-Ⅱ相).Si-Ⅱ相容易以塑性方式去除.粗磨硅片表面没有明显的多晶硅,只有少量的非晶硅出现,材料以脆性断裂方式去除.从粗磨到精磨,材料去除方式由脆性断裂去除向塑性去除过渡.粗磨向半精磨过渡时,相变强度越大,材料的塑性去除程度越大…查看全部>>
张银霞;郜伟;康仁科;郭东明
郑州大学机械工程学院,河南郑州450001郑州大学机械工程学院,河南郑州450001大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连116024大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连116024
信息技术与安全科学
单晶硅片磨削相变
《光学精密工程》 2008 (8)
1440-1445,6
国家自然科学基金重大资助项目(No.50390061)
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