物理学报2006,Vol.55Issue(3):1441-1446,6.
La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究
Colossal magnetoresistance effect in the perovskite-type La1-xPrxMnO3 thin films
段苹 1陈正豪 2戴守愚 2周岳亮 2吕惠宾2
作者信息
- 1. 天津大学应用物理系,天津,300072
- 2. 中国科学院物理研究所,北京,100080
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摘要
关键词
脉冲激光沉积/La1-xPrxMnO3/电子掺杂/庞磁电阻分类
数理科学引用本文复制引用
段苹,陈正豪,戴守愚,周岳亮,吕惠宾..La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究[J].物理学报,2006,55(3):1441-1446,6.