重庆邮电学院学报（自然科学版）2005，Vol.17Issue(2)：144-146,3.
ThSiO4晶体中Yb3+离子的自旋哈密顿参量的理论研究
Theoretical studies of spin Hamitonian parameters for Yb3+ ion in ThSiO4 crystal
董会宁 1蔡雪梅 2邬劭轶1
作者信息
- 1. 重庆邮电学院,信息电子学研究所,重庆,400065
- 2. 中国科学院,国际材料物理中心,辽宁,沈阳,110016
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摘要
关键词
电子顺磁共振/晶体场理论/ThSiO4/Yb3+分类
数理科学引用本文复制引用
董会宁,蔡雪梅,邬劭轶..ThSiO4晶体中Yb3+离子的自旋哈密顿参量的理论研究[J].重庆邮电学院学报（自然科学版）,2005,17(2):144-146,3.
