强激光与粒子束2008，Vol.20Issue(9)：1457-1460,4.
1064 nm与532 nm激光对电子束蒸发制备的HfO2/SiO2高反膜损伤比较
Comparison of laser induced damage at 1 064 nm and 532 nm to high-reflective film fabricated by electron beam evaporation
李大伟 1陶春先 2李笑 1赵元安 2邵建达1
作者信息
- 1. 中国科学院,上海光学精密机械研究所,光学薄膜技术研究与发展中心,上海201800
- 2. 中国科学院研究生院,北京,100039
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摘要
关键词
光学薄膜/激光损伤/电子束蒸发/电子缺陷分类
数理科学引用本文复制引用
李大伟,陶春先,李笑,赵元安,邵建达..1064 nm与532 nm激光对电子束蒸发制备的HfO2/SiO2高反膜损伤比较[J].强激光与粒子束,2008,20(9):1457-1460,4.
