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射频反应溅射制备AlN薄膜的研究

李侃 董树荣 王德苗

传感技术学报2006,Vol.19Issue(5):1459-1461,1465,4.
传感技术学报2006,Vol.19Issue(5):1459-1461,1465,4.

射频反应溅射制备AlN薄膜的研究

Study of Preparation of AIN Thin Films for FBAR Application by RF Sputtering

李侃 1董树荣 1王德苗1

作者信息

  • 1. 浙江大学信电系,杭州,310027
  • 折叠

摘要

关键词

AlN/压电薄膜/射频反应磁控溅射/择优取向/FBAR

分类

数理科学

引用本文复制引用

李侃,董树荣,王德苗..射频反应溅射制备AlN薄膜的研究[J].传感技术学报,2006,19(5):1459-1461,1465,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(50172042) (50172042)

传感技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1004-1699

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