红外技术2008，Vol.30Issue(3)：146-149,4.
基于GaN材料p型掺杂的研究进展
Research Progress Based on GaN Material p-type doped
摘要
关键词
GaN/P型掺杂/退火/激活/机理分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘一兵,黄新民,刘安宁,肖宏志..基于GaN材料p型掺杂的研究进展[J].红外技术,2008,30(3):146-149,4.基金项目
邵阳职业技术学院2008年重点科研项目 （）
邵阳职业技术学院2008年重点科研项目 （）
