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HCl/HF/CrO3溶液对 InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀--应用于楔形结构的制备

黄辉 王兴妍 任晓敏 王琦 黄永清 高俊华 马晓宇

半导体学报2005，Vol.26Issue(7)：1469-1474,6.
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半导体学报2005，Vol.26Issue(7)：1469-1474,6.

HCl/HF/CrO3溶液对 InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀--应用于楔形结构的制备

Selective Wet Etching of InGaAs/InGaAsP in HCl/HF/CrO3 Solutions:Application to Vertical Taper Structures

黄辉 1王兴妍 1任晓敏 1王琦 1黄永清 1高俊华 2马晓宇2

作者信息

  • 1. 北京邮电大学,北京,100876
  • 2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

动态掩膜湿法腐蚀/选择性腐蚀/化学湿法腐蚀/楔形结构/InGaAsP

分类

化学化工

引用本文复制引用

黄辉,王兴妍,任晓敏,王琦,黄永清,高俊华,马晓宇..HCl/HF/CrO3溶液对 InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀--应用于楔形结构的制备[J].半导体学报,2005,26(7):1469-1474,6.

基金项目

国家自然科学基金重大项目(批准号:90201035),国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA312020)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2003CB314901)资助项目 （批准号:90201035）

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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