半导体学报2005，Vol.26Issue(z1)：147-150,4.
AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟
Simulation on High-Frequency Performance of AlGaN/GaN HBTs
摘要
关键词
HBTs/AlGaN/GaN/截止频率/最高振荡频率分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
冉军学,王晓亮,王翠梅,王军喜,曾一平,李晋闽..AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟[J].半导体学报,2005,26(z1):147-150,4.基金项目
国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683,2002CB311903)和国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304)资助项目 （批准号:G20000683,2002CB311903）
