物理学报2002，Vol.51Issue(1)：148-152,5.
4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析
Analysis of self-heating effect on 4H-SiC RF power MESFETs
摘要
关键词
4H-SiC,射频,MESFET,直流I-V特性,自热效应分类
数理科学引用本文复制引用
杨林安,张义门,龚仁喜,张玉明..4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析[J].物理学报,2002,51(1):148-152,5.基金项目
国防预研基金(批准号:8.1.7.3)资助的课题. （批准号:8.1.7.3）
