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电子束光刻的邻近效应及其模拟

孙霞 尤四方 肖沛 丁泽军

物理学报2006,Vol.55Issue(1):148-154,7.
物理学报2006,Vol.55Issue(1):148-154,7.

电子束光刻的邻近效应及其模拟

Simulation of the proximity effect of electron beam lithography

孙霞 1尤四方 1肖沛 1丁泽军1

作者信息

  • 1. 中国科学技术大学,结构分析重点实验室,物理系,合肥,230026
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摘要

关键词

电子束光刻/邻近效应/Monte Carlo

分类

数理科学

引用本文复制引用

孙霞,尤四方,肖沛,丁泽军..电子束光刻的邻近效应及其模拟[J].物理学报,2006,55(1):148-154,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60306006,10025420,90206009)资助的课题. (批准号:60306006,10025420,90206009)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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