西安电子科技大学学报（自然科学版）2002，Vol.29Issue(2)：149-152,4.
深亚微米槽栅PMOSFET短沟道效应的模拟研究
The influence of doping density on the short-channel-effect immunity in the deep-sub-micron grooved gate PMOSFET
摘要
关键词
深亚微米/槽栅PMOSFET/沟道杂质浓度/衬底杂质浓度/短沟道效应/拐角效应分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
任红霞,马晓华,郝跃..深亚微米槽栅PMOSFET短沟道效应的模拟研究[J].西安电子科技大学学报（自然科学版）,2002,29(2):149-152,4.基金项目
国家部委预研基金资助项目(99J8.1.1.DZD132) （99J8.1.1.DZD132）
高等院校博士点基金资助项目(8070110) （8070110）
